Proceso de oxidación de silicio

Entre los métodos para crecer óxido de silicio, se encuentran los que son por tratamiento térmico vía húmeda y vía seca a las obleas de silicio. En el tratamiento térmico húmedo utilizado en el cuarto limpio del CIDESI, utilizamos un horno con vapor de agua, que en combinación con un flujo de gas inerte y una presión específica promueve el crecimiento de la película de óxido de silicio.

El crecimiento de óxido silicio por tratamiento térmico seco es muy similar al método húmedo, en lugar de utilizar vapor de agua, se utilizan moléculas de oxígeno, que con determinada presión y flujo de este gas, promueven el crecimiento de la película de óxido de silicio. Comúnmente, la tasa de crecimiento del óxido que se obtiene por tratamiento térmico seco es lenta en comparación con la que se obtiene por tratamiento húmedo.

En el proceso convencional de crecimiento de óxido de silicio, el espesor de la película es determinado mediante la implementación de la técnica de elipsometría, que resulta muy conveniente para este clase de materiales.

Dependiendo la aplicación que se le dará al óxido, podemos determinar que proceso de crecimiento es el más conveniente. Actualmente, en la Dirección de Microtecnologías, en el CIDESI Quéretaro, este material dieléctrico es utilizado como material enmascarante y como material activo en los procesos de fabricación de circuitos integrados.

Ajuste del espectro Psi para el sistema aire/óxido de silicio/silicio. Mediante análisis óptico podemos determinar el espesor de la película de óxido crecido térmicamente.

Tubo de cuarzo del horno de alta temperatura utilizado para el crecimiento térmico vía húmeda del óxido de silicio.
Obleas de silicio con óxido de silicio. Este sistema es ampliamente utilizado y pilar de la industria de fabricación de dispósitivos electrónicos.

Autores

David Guzmán, Iker Chavez y David Velarde,


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El equipo de la Dirección de Microtecnologías (DMT)
Centro de Ingeniería y Desarrollo Industrial (CIDESI)

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